企业奖项:
l Goocii谷驰设计研发中心完成了1700V的高压大功率绝缘栅双极晶体管
（IGBT）芯片的技术开发，标志着谷驰新能源已站在全球IC技术最前沿。(2016年6月)
l 2015中国科学技术部关于谷驰新能源芯片批文：“高压大功率IGBT芯片及模块，
但涉及与本项目所述综合技术特点相同的“高压大功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）芯片设计与制造”，
国内未见文献报道”。 “国内空白技术”。 (2015年6月)
l "中国最具投资潜质创新企业"
l Goocii谷驰公司在"中国风险投资论坛暨中国风险资本-项目对接会"组委会评选中，
荣誉当选为"中国最具投资潜质创新企业"三十强企业（万钢等出席）
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谷驰新能源正式进驻深圳总部前海自贸区。(2016年6月)
l 成为中国半导体业协会会员企业。(2016年6月)
l Goocii谷驰新能源正式申报中国集成电路技术专利项目。(2016年5月)
l 中国科技部关于深圳谷驰新能源申报IGBT的报告批文完成。
项目名称：高压大功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)芯片设计与制造。(2015年8月)
l Goocii谷驰设计研发中心完成了MOSFET，IGBT芯片的技术开发，
标志着谷驰新能源已站在全球IC技术最前沿。(2015年8月)