企业奖项

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l        Goocii谷驰设计研发中心完成了1700V的高压大功率绝缘栅双极晶体管

IGBT)芯片的技术开发,标志着谷驰新能源已站在全球IC技术最前沿。(20166)

l        2015中国科学技术部关于谷驰新能源芯片批文:高压大功率IGBT芯片及模块,

但涉及与本项目所述综合技术特点相同的高压大功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)芯片设计与制造

国内未见文献报道 国内空白技术 (20156)

l        "中国最具投资潜质创新企业

l        Goocii谷驰公司在"中国风险投资论坛暨中国风险资本-项目对接会"组委会评选中,

荣誉当选为"中国最具投资潜质创新企业"三十强企业(万钢等出席) 

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  谷驰新能源正式进驻深圳总部前海自贸区。(20166)

l        成为中国半导体业协会会员企业。(20166)

l        Goocii谷驰新能源正式申报中国集成电路技术专利项目。(20165)

l        中国科技部关于深圳谷驰新能源申报IGBT的报告批文完成。

项目名称:高压大功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)芯片设计与制造。(20158)

l        Goocii谷驰设计研发中心完成了MOSFETIGBT芯片的技术开发,

标志着谷驰新能源已站在全球IC技术最前沿。(20158月)